特許

J-GLOBAL ID：200903057656192876

半導体装置およびその製造方法

発明者： 蓮見 良治 ,  松岡 史倫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235670
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060563
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 ローカルインターコネクト等の埋め込み配線加工時に、シャロートレンチ等の素子分離領域における絶縁膜が、ソース・ドレイン拡散層の深さを超えて後退したときに、Nウェル領域の表面部分およびPウェル領域の表面部分の露出して、電流のリークが発生するという課題を解決する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 不純物イオンを選択的にイオンビーム等で注入することにより、P+拡散層5、N+拡散層6を形成し、露出しているNウェル領域3の表面部分22に対してP+拡散層5が、露出しているPウェル領域4の表面部分23に対してはN+拡散層6が、それぞれの露出部分に新たに形成されることによって、半導体基板1上のメタル埋め込み配線と、ウエル領域が直接接触することによる電流のリークを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた第一導電型領域と、この第一導電型領域に隣接して、前記半導体基板上に設けられた第二導電型領域と、この第二導電型領域と前記第一導電型領域の間の半導体基板上に設けられた絶縁層と、前記第一導電型領域中に設けられ、基板表面から第一の深さを持って形成された第一部分と前記第一部分及び前記絶縁層に接し、かつ前記第一導電型領域中で基板表面から第一部分よりも深く形成された第二部分とを有する第二導電型の不純物拡散層と、前記第二導電型領域中に設けられ、基板表面から第一の深さを持って形成された第一部分と前記第一部分及び前記絶縁層に接し、かつ前記第二導電型領域中で基板表面から第一部分よりも深く形成された第二部分とを有する第一導電型の不純物拡散層、および前記絶縁層上に設けられ、前記第一導電型不純物拡散層と前記第二導電型不純物拡散層に接するメタル配線とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (3件)：

H01L 21/28 U ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/10 381

Fターム (34件)：

4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD26 ,  4M104FF18 ,  4M104FF31 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F048AA04 ,  5F048AB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F083BS46 ,  5F083GA30 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA05 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR37