特許

J-GLOBAL ID：200903057657822318

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

発明者： 橋爪 淳一郎 ,  植田 重教 ,  青木 誠
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-177126
公開番号（公開出願番号）：特開平10-008259
出願日： 1996年06月17日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：

【要約】【課題】本発明は、帯電時の帯電電位が高く、製造時間が短く低コストであり、再現性に優れ、クリーニングする際のクリーニング時間を著しく短縮することができ、また、画像欠陥が少なく、鮮明な画像が得られる堆積膜、とりわけ電子写真用感光体を製造するのに最適なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、真空気密可能な堆積室内を排気しながら、その内部に原料ガスを導入し、該原料ガスをVHF帯の高周波電力により分解し、該堆積室内に設置された基体上に堆積膜を成膜した後、該堆積室内をクリーニングするプラズマ処理方法または装置において、前記成膜が少なくともシリコン原子を含んだ原料ガスをVHF帯の高周波電力によって分解することにより行われ、前記クリーニングが少なくともフッ素を含むガスをVHF帯以下の高周波電力を用いて堆積室内に付着した堆積膜をガス化し、除去することによって行われることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

真空気密可能な堆積室内を排気しながら、その内部に原料ガスを導入し、該原料ガスをVHF帯の高周波電力により分解し、該堆積室内に設置された基体上に堆積膜を成膜した後、該堆積室内をクリーニングするプラズマ処理方法において、前記成膜が少なくともシリコン原子を含んだ原料ガスをVHF帯の高周波電力を用いて分解することによって行われ、前記クリーニングが少なくともフッ素を含むガスをVHF帯以下の高周波電力を用いて堆積室内に付着した堆積膜をガス化し、除去することによって行われることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  G03G 5/082 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 D ,  G03G 5/082 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光受容部材の形成方法、該方法による光受容部材、堆積膜の形成装置及び該装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-262213   出願人：キヤノン株式会社
• 電子写真用光受容部材用堆積膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-346302   出願人：キヤノン株式会社