特許

J-GLOBAL ID：200903057670940834

透明導電性薄膜、その製造方法と製造用焼結体ターゲット、及び有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法

発明者： 阿部 能之
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-337130
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006221
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】短波長側も含めた可視光領域の透過率がITO並に優れており、比抵抗が低く、非晶質で表面平滑性に極めて優れた透明導電性薄膜、その製造方法、及びその透明導電性薄膜を透明電極として用いた有機EL素子を提供する。【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、WとGeを含有し、W/Inの原子数比が0.003〜0.047、及びGe/Inの原子数比が0.001〜0.190の透明導電性薄膜であって、比抵抗が8×10-4Ω・cm以下と低く、完全に非晶質で、表面粗さRaが1.5nm以下と表面平滑性に極めて優れている。有機EL素子は、陽極2と陰極3の間に発光層7を含む有機層6を備え、陽極2及び/又は陰極3が上記の透明導電性薄膜4か又は透明導電性薄膜4と金属薄膜5とで構成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化インジウムを主成分とし、タングステンとゲルマニウムを含有する透明導電性薄膜であって、W/Inの原子数比が0.003〜0.047、及びGe/Inの原子数比が0.001〜0.190であることを特徴とする透明導電性薄膜。

IPC (10件)：

H01B5/14 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/32 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28

FI (10件)：

H01B5/14 A ,  C23C14/08 D ,  C23C14/32 A ,  C23C14/34 A ,  H01B1/08 ,  H01B13/00 503B ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28 ,  C04B35/00 H

Fターム (46件)：

3K007AB02 ,  3K007AB05 ,  3K007AB08 ,  3K007AB11 ,  3K007CA01 ,  3K007CA02 ,  3K007CA05 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007CC01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4G030AA24 ,  4G030AA34 ,  4G030AA38 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA22 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DD01 ,  5G301CA02 ,  5G301CD03 ,  5G301CD04 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BB06