特許
J-GLOBAL ID：200903057671044115
薄膜コンデンサとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083172
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251258
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 高誘電率薄膜を用いた薄膜コンデンサを作製する際、下部電極表面を平坦化することによって、リーク電流の低減を図る。【構成】 下部電極の最表面層をN含有のPtとする。あるいは下部電極を形成した後、低圧雰囲気中でArをイオン化して照射し、下部電極の表面を平坦化する。あるいはコンタクトホールの埋め込みをUHV-CVD法によりエピタキシャル成長したシリコンで行う。
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極、誘電体膜および上部電極を順次積層した薄膜コンデンサであって、下部電極の少なくとも最表面層が窒素を含有するPt、Pd、Rh、Ru、Re、Os、Irのうち少なくとも1種以上の材料からなり、誘電体が誘電率の大きな高誘電率膜からなることを特徴とする薄膜コンデンサ。
引用特許：
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