特許
J-GLOBAL ID：200903057681809691
積層型粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070747
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275270
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 電子機器で発生するノイズ、パルス、静電気などの異常電圧から半導体及び電子機器を保護する目的で使用されるNiを内部電極とした積層型粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサを提供することを目的とする。【構成】 低原子価のLi,Na,K原子の内の少なくとも一種類以上をNiまたはNi原子を含む化合物に固溶させた内部電極ペーストを出発原料とするNi内部電極2aをこれらが交互に対向する端縁に至るように設け、かつこのNi内部電極2aの両端縁にPd,Pt原子の内の少なくとも一種類以上をNiまたはNi原子を含む化合物に添加混合させた外部電極3aを設けた構成とすることにより、優れた性能を有する積層型粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサを提供することができる。
請求項（抜粋）：
NiまたはNi原子を含む化合物に低原子価のLi,Na,K原子の内の少なくとも一種類以上を固溶させたペーストを出発原料とするNi内部電極を設けたセラミック生シートの上記Ni内部電極が交互に対向する異なる端面に接するように複数枚積層された成型体の上記対向する端面に、上記Ni内部電極がそれぞれ電気的に接続されるようにPd,Pt原子の内の少なくとも一種類以上をNiまたはNi原子を含む化合物に添加混合させた外部電極を形成してなる積層型粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 4/12 361
, H01G 4/12 322
, H01G 4/30 301
