特許
J-GLOBAL ID：200903057686723345
非導電性材料表面に電気メッキ層を直接形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085434
公開番号（公開出願番号）：特開平5-287583
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】無電解銅メッキ工程を必要とすることなく、電気銅メッキ工程のみによって絶縁性部分の導通化を可能とする方法を提供する。【構成】下記の工程で処理する。非導電性材料をアルカリ性過マンガン酸塩溶液により処理し、その表面ににマンガン酸化物層を形成させる。次にこの非導電性材料をパラジウム、白金、金、銀および銅の塩の少なくとも1種とチオ尿素およびその誘導体からなる含窒素硫黄化合物の少なくとも1種とを含む触媒水溶液に浸漬する。次にこの非導電性材料を水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジンおよびジメチルアミンボランの少なくとも1種を含むアルカリ性溶液により還元処理する。次にこの非導電性材料を活性化する。次にこの非導電性材料に電気メッキ層を形成させる。
請求項（抜粋）：
非導電性材料を下記の工程で処理することを特徴とする非導電性材料のメッキ方法:(1)非導電性材料をアルカリ性過マンガン酸塩溶液により処理し、その表面ににマンガン酸化物層を形成させる工程、(2)上記(1)工程からの非導電性材料をパラジウム、白金、金、銀および銅の塩の少なくとも1種とチオ尿素およびその誘導体からなる含窒素硫黄化合物の少なくとも1種とを含む触媒水溶液に浸漬する工程、(3)上記(2)工程からの非導電性材料を水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジンおよびジメチルアミンボランの少なくとも1種を含むアルカリ性溶液により還元処理する工程、(4)上記(3)工程からの非導電性材料を活性化する工程、および(5)上記(4)工程からの非導電性材料に電気メッキ層を形成させる工程。
IPC (5件)：
C25D 5/54
, C25D 7/00
, H05K 3/18
, H05K 3/42
, H05K 3/46
