特許
J-GLOBAL ID：200903057687729789
エピタキシャルウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332626
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193010
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 結晶の異常成長を防止し、素子歩留と信頼性の向上をはかる。【構成】 ウェーハ表面の直径1.0〜180μmの範囲の突起物の密度を一定範囲に規定した、良質のウェーハとする。ウェーハの材質により許容される突起物の径と密度は異なる。
請求項（抜粋）：
InP基板上にInP、InGaAs化合物半導体薄膜を成長させたエピタキシャルウェーハにおいて、粒径2.0μm以上60μm以下の突起物の密度が65cm-2以下であることを特徴とするInPエピタキシャルウェーハ。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/208
, H01L 33/00
