特許

J-GLOBAL ID：200903057688566662

パターニングされた基板上の成長による水平放出、垂直放出、ビーム形成された、分布帰還型(DFB)レーザ

発明者： ワイズバッハ, クロード シー. エー. ,  デイビッド, オールリエン ジェイ. エフ. ,  スペック, ジェームス エス. ,  デンバース, スティーブン ピー.
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-558026
公開番号（公開出願番号）：特表2008-538255
出願日： 2006年02月09日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

集積光学素子を用いた構造は、基板と、基板上に成長されたバッファ層と、バッファ層に堆積された1つ以上のパターニングされた層と、パターニングされた層の上またはパターニングされた層の間に形成された1つ以上のアクティブ層とを備えており、例えば横方向エピタキシャル成長(LEO)によるものであり、1つ以上の発光種を含んでいる。パターニングされた層は、マスク(絶縁性材料、半導性材料、または金属材料から構成されている)と、マスク内のホールを充填する材料とを含んでいる。パターニングされた層は、アクティブ層との大きな屈折率の差、および/またはマスクとマスク内のホールを充填する材料との間の屈折率の変化に起因して、光閉じ込め層、ミラー、回折格子、波長選択要素、ビーム形成要素、またはビーム配向要素として機能する。

請求項（抜粋）：

集積光学素子を用いた構造であって、 (a)基板と、 (b)該基板上に成長されたバッファ層と、 (c)該バッファ層の上部に堆積された1つ以上のパターニングされた層であって、該パターニングされた層の各々は、マスクおよび該マスク内のホールを充填する材料から構成されている、パターニングされた層と、 (d)該パターニングされた層の上または該パターニングされた層の間に形成された1つ以上のアクティブ層と を備えており、 (e)各パターニングされた層は、該アクティブ層に対し、ミラー、光閉じ込め層、格子、波長選択要素、ビーム形成要素、またはビーム配向要素として機能する、構造。

IPC (1件)：

H01S 5/026

FI (1件)：

H01S5/026

Fターム (9件)：

5F173AB03 ,  5F173AB13 ,  5F173AB27 ,  5F173AB46 ,  5F173AB47 ,  5F173AB90 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AP47