特許
J-GLOBAL ID：200903057691223733
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281193
公開番号（公開出願番号）：特開平5-325576
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【構成】本発明の不揮発性半導体装置はブロック選択手段200とブロック消去手段201との間に消去情報保持手段201を有する。【効果】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、複数ブロックを同時に消去することが可能であるため消去時間が従来と比較して短くなる。また、ベリファイ読み出し時において、全メモリセルのデータを読み出す必要がなく短いベリファイ時間でブロック消去が終了したかを確認することができる。これはベリファイ時間までも含めた消去時間の短縮につながる。
請求項（抜粋）：
制御電極に消去電圧を印加することにより消去が同時に行われる複数の不揮発性メモリセルからなる複数の一括消去ブロックと、各々の前記一括消去ブロックに対応して設けられ、この一括消去ブロックの消去情報を保持する複数の消去情報保持手段と、外部から順次入力される複数のアドレス信号に応答してこのアドレス信号に対応する前記消去情報保持手段に前記消去情報を順次保持させる消去情報入力手段と、各々の前記一括消去ブロックに対応して設けられ、消去時に対応する前記消去情報保持手段に前記消去情報が保持されていれば対応する一括消去ブロックの全ての前記不揮発性メモリセルの制御電極に消去電圧を印加する複数の消去手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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