特許

J-GLOBAL ID：200903057691769027

半導体素子構造および金属プレートの作製方法および電流伝達端子の作製方法

発明者： パオロ カサティ ,  ピエランゲロ マーニ ,  ジュゼッペ マルチシ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクスソチエタ レスポンサビリタ リミテ
代理人 (1件)： 青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294882
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243457
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 本発明は相互に接合された金属プレートとプラスチックボデーとを含んで成る半導体電子素子構造およびその部品を作製する方法に関し、全体としての信頼性、特に水分に対する密閉性を高めることを目的とする。【構成】 支持および放熱機能を有する金属プレート(12)、該金属プレート(12)に取り付けられた半導体材料のチップ(13)、外部電気回路との接続を行うための電流伝達端子(11)、および該金属プレート(12)をカプセル封入し、少なくとも該金属プレートの表面部分と、該半導体材料のチップ(13)と、該電流伝達端子(11)の端部とは露出させているプラスチックボデー(10)を含む半導体素子構造において、上記金属プレート(12)および上記電流伝達端子(11)の端部は、少なくとも、上記プラスチックボデー(10)と接触している所定領域(30,32,33)が1(Ra=1μm)よりも大きい表面粗さを持つように構成する。

請求項（抜粋）：

支持および放熱機能を有する金属プレート(12)、該金属プレート(12)に取り付けられた半導体材料のチップ(13)、外部電気回路との接続を行うための電流伝達端子(11)、および該金属プレート(12)をカプセル封入し、少なくとも該金属プレートの表面部分と、該半導体材料のチップ(13)と、該電流伝達端子(11)の端部とは露出させているプラスチックボデー(10)を含む半導体素子構造において、上記金属プレート(12)および上記電流伝達端子(11)の端部は、少なくとも、上記プラスチックボデー(10)と接触している所定領域(30,32,33)が1(Ra=1μm)よりも大きい表面粗さを持つことを特徴とする半導体素子構造。

IPC (3件)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29