液晶表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊田善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-097357
公開番号（公開出願番号）：特開平9-265114
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 TFTを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、画素電極への信号書き込み速度を向上し、製造歩留を向上する。【解決手段】 TFTのソース電極11、ドレイン電極12を、低抵抗金属層9,9’とTiN層10,10’及び21,21’の多層構造とし、TFTの半導体層と上記電極の低抵抗金属層9との反応をTiN層21,21’により防止してTFTのリークを防止し、TiN層10,10’によりドレイン電極12と画素電極14とのコンタクト抵抗を低減し、さらに、パターニング時の低抵抗金属層9,9’のハレーションによる形状不良を防止する。

請求項（抜粋）：

各画素のスイッチング素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置であって、上記薄膜トランジスタが半導体層上に絶縁層を介してソース及びドレイン電極を有し、且つ該ドレイン電極上に絶縁層を介して画素電極がオーバーラップし、該ドレイン電極と該画素電極とが絶縁層に形成されたスルーホールを介して接続されており、上記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極が低抵抗金属層上にTiN層を有する多層構造であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 N

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