基板を処理するための装置及び方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-600294
公開番号（公開出願番号）：特表2002-537651
出願日： 2000年02月02日
公開日（公表日）： 2002年11月05日
要約：

【要約】ほぼ同じ所要面積で従来の基板処理装置のスループット量を高めるために、少なくとも2種の処理液で充填可能な2つの槽の少なくとも一方で基板を処理するための方法及び装置が想定される。この装置は次の方法工程:a)2つの槽のために共通の処理液-調製ユニット中で第1の処理液を調製する工程、b)前記の槽に基板をローディングする工程、c)前記の槽中に第1の処理液を所定の時間で導入する工程、d)前記の槽中に少なくとも第2の処理液を導入する工程、及びe)槽から基板を取り出す工程を有し、その際、それぞれの槽中の工程の進行を時間的にシフトさせて、一方の槽での工程c)の終了と、他方の槽での工程c)の開始の間に第1の処理液の調製のために十分な時間が設けられている。

請求項（抜粋）：

次の工程:a) 容量が1つの処理槽用に設計されている、2つの槽のために共通の処理液-調製ユニット内で第1の処理液を調製する工程、b) 前記の槽に基板をローディングする工程、c) 前記の槽中に第1の処理液を所定の時間で導入する工程、d) 前記の槽中に少なくとも第2の処理液を導入する工程、及びe) 槽から基板を取り出す工程、を有し、その際、それぞれの槽中の工程の進行を平行でかつ時間的にシフトさせて制御して、一方の槽での工程c)の終了と、他方の槽での工程c)の開始の間に第1の処理液の調製のために十分な時間を設けるようにする、少なくとも2種の処理液をそれぞれ充填することができる2つの槽の少なくとも一方で基板を処理する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 648 , H01L 21/304 651 , H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/304 648 H , H01L 21/304 651 G , H01L 21/308 G

Fターム (11件)：

5F043BB27 , 5F043EE02 , 5F043EE04 , 5F043EE10 , 5F043EE12 , 5F043EE21 , 5F043EE24 , 5F043EE30 , 5F043EE35 , 5F043EE36 , 5F043GG10

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