MOS型スタティックRAM

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-248310
公開番号（公開出願番号）：特開平6-103782
出願日： 1992年09月17日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】MOS型スタティックRAMに関し、スタンバイ時における消費電力の低減化を求める場合には、これを行うことができ、セルとして十分なソフトエラー耐量の確保を求める場合には、これを行うことができるようにする。【構成】動作モード時、VCC≧4×Vthとされた場合、nMOSトランジスタ55=ONとし、セルに対してセルデータ保持電圧VcellとしてVCC-Vthを印加し、セルデータ保持モード時、VCC<4×Vthとされた場合、nMOSトランジスタ49=OFFとし、セルに対してセルデータ保持電圧Vcellとして外部電源電圧VCCを印加する。

請求項（抜粋）：

外部から供給される外部電源電圧(VCC)の変化に対応して電圧値の異なる複数の電圧(V1、V2・・・Vn)を出力する電源回路(11)と、この電源回路(11)から出力される前記複数の電圧(V1、V2・・・Vn)の中から一の電圧を選択し、この選択した電圧を、セルデータ保持電圧として、セル(12)を構成するフリップフロップ(13)に供給する選択回路(14)とを備えていることを特徴とするMOS型スタティックRAM。

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