特許

J-GLOBAL ID：200903057706174483

リモートプラズマアクティベーテッドナイトライデーション

発明者： ヨハン スワート ,  ヒルデ デ ヴィッテ ,  ヤン ヴィレム マエス ,  クリストフ ポマレド ,  ルーベン ハーバーコート ,  ワン ユエ メイ ,  マリヌス イェー. デ ブランク ,  コーネリウス アー. ファン デア エウグト ,  ヤコブ ヨハネス ビューレンス
出願人/特許権者： エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  斎藤 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-245398
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086521
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】窒素含有材料を形成するために窒素を組み込むための改良方法を提供すること。【解決手段】NH3の供給源とガス連通しており、励起種ジェネレータとガス連通している単一基板反応チャンバを備えること;該反応チャンバ中に半導体基板を提供すること;該励起種ジェネレータ中で励起種を生成すること;NH3を該基板の上流及び該励起種ジェネレータの下流で該励起種に曝露すること;および該NH3の該励起種への曝露の後に、該基板を該NH3及び該励起種に曝露することを含む半導体加工方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

NH3の供給源とガス連通しており、励起種ジェネレータとガス連通している単一基板反応チャンバを備えること; 該反応チャンバ中に半導体基板を提供すること; 該励起種ジェネレータ中で励起種を生成すること; NH3を該基板の上流及び該励起種ジェネレータの下流で該励起種に曝露すること;および 該NH3の該励起種への曝露の後に、該基板を該NH3及び該励起種に曝露すること を含む半導体加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78 ,  C23C 16/34

FI (6件)：

H01L21/318 A ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  H01L21/318 M ,  C23C16/34

Fターム (36件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030LA15 ,  5F058BA01 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BF08 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF74 ,  5F058BH02 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16