スルーホール/上層配線の合わせずれ検知方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-153562
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003237
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】検査時間の短縮化を図り、多層配線の高密度化に対応した検知パターンを提供する。【構成】半導体装置のスルーホールと上層配線との合わせずれを検知する際、半導体装置と共に半導体基板5上に形成される検知パターンを、ずれ検知方向へ延びる下層パターン10と、該下層パターン10を跨ぐように開孔した検知用スルーホール20と、該検知用スルーホール20を覆うように下層パターン10に交差した上層パターン30とで構成し、ホトリソグラフィ工程終了後、下層パターン10において検知用スルーホール20の両側の所定箇所間の抵抗値を測定する。抵抗値を測定することにより、オーバーエッチングに起因する半導体装置の不具合を間接的に検知できる。このように、電気的な測定により、検査時間を短縮化でき、また、多層配線の高密度化における合わせ余裕の評価に利用できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、下層配線と、スルーホールが形成された層間絶縁膜と、該スルーホールを介して該下層配線に接続される上層配線とが順に積層される半導体装置の製造時に、前記半導体装置の空領域に併設される検知パターンを用い、前記スルーホールと前記上層配線との合わせずれを検知するスルーホール/上層配線の合わせずれ検知方法において、前記検知パターンは、前記下層配線の形成時に前記半導体基板と前記層間絶縁膜との間に配設され所定の配線幅で合わせずれ検知方向へ延びる下層パターンと、前記下層パターンを跨ぐようにその配線幅より大きく前記層間絶縁膜に開孔された検知用スルーホールと、前記合わせずれ検知方向に対応した位置に検知すべき検知ずれ量と同量の合わせ余裕だけ残して前記検知用スルーホールを覆うように前記下層パターンに交差する上層パターンとで、構成し、この検知パターンを用い、前記下層パターンにおける前記検知用スルーホールの両側の所定箇所間の抵抗値を測定し、該抵抗値に基づいて前記スルーホールと前記上層配線との合わせずれを検知するようにしたスルーホール/上層配線の合わせずれ検知方法。

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