特許
J-GLOBAL ID：200903057714314243
半導体作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-275416
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198507
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【構成】水素と珪素の結合を含んだ非晶質珪素膜を低温の気相法で成膜する工程と、この非晶質珪素膜中から水素を離脱させるために加熱アニールを行い珪素のダングリングボンドを形成する工程と、珪素のダングリングボンドを有する非晶質珪素膜に対してレーザー照射することによって、良好な電気特性を有する多結晶半導体膜を得る。
請求項（抜粋）：
基板上に気相法により珪素を主成分とする非晶質珪素半導体膜を成膜する工程と、該工程により製膜した非晶質珪素半導体膜を加熱処理する工程と、該工程により加熱処理された非晶質珪素半導体膜に対してレーザー照射を行う工程とを有する半導体作製方法において、前記気相法は350度以下の温度で行われ、前記加熱処理は350度以上でありかつ500度以下の温度で行われ、前記加熱処理からレーザー照射を行う工程は真空あるいは不活性雰囲気を維持した状態で行われることを特徴とする半導体作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/324
, H01L 21/336
, H01L 29/784
