特許

J-GLOBAL ID：200903057718178816

半導体ウェーハの熱処理用ボート及びその製造方法

発明者： 木村 明浩 ,  名古屋 孝俊
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-111829
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309076
出願日： 2002年04月15日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハを熱処理する際、ウェーハの外周部付近でのスリップの発生を防ぐことができる熱処理用ボートを提供する。【解決手段】 半導体ウェーハを熱処理する際に該ウェーハを支持する熱処理用ボートであって、少なくとも、該熱処理用ボートの支持部の溝に半導体ウェーハWをセットしたときに該ウェーハの外周部と接し得る溝5の外縁部6aが、C面取り又はR面取りされており、該C面取り又はR面取りの寸法が、C0.5以上又はR0.5以上であることを特徴とする半導体ウェーハの熱処理用ボート。例えば、半導体ウェーハの熱処理用ボートを製造する方法において、熱処理用ボートの少なくとも半導体ウェーハを支持する支持部の溝にサンドブラスト処理を施すことにより該溝の外縁部を面取りする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを熱処理する際に該ウェーハを支持する熱処理用ボートであって、少なくとも、該熱処理用ボートの支持部の溝に半導体ウェーハをセットしたときに該ウェーハの外周部と接し得る溝の外縁部が、C面取り又はR面取りされており、該C面取り又はR面取りの寸法が、C0.5以上又はR0.5以上であることを特徴とする半導体ウェーハの熱処理用ボート。

IPC (2件)：

H01L 21/22 501 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/22 501 G ,  H01L 21/324 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 縦型ウエハボート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-103907   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 特開昭60-107843
  
• 特開昭60-107843