特許

J-GLOBAL ID：200903057723781881

半導体装置およびその製造方法

発明者： 豊田 吉彦 ,  深田 哲生 ,  森 剛 ,  北沢 良幸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-124782
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317447
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 十分な面積を有するコンタクトホールを備え、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 第1の幅W1を有する導電領域2上に層間絶縁膜3を形成する。層間絶縁膜3には導電領域2を露出させる貫通孔9を形成する。層間絶縁膜3上に被覆膜4を形成する。被覆膜4には貫通孔9上に位置する領域に第1の幅W1より大きな第2の幅W2を有する開口部8を形成する。開口部8上に位置する領域に配線7aを形成する。導電領域2と配線7aとを電気的に接続する導電体膜を貫通孔9の内部に形成する。

請求項（抜粋）：

第1の幅を有する導電領域と、前記導電領域を露出させる貫通孔が形成され、前記導電領域上に形成された層間絶縁膜と、前記貫通孔上に位置する領域に前記第1の幅より大きな第2の幅を有する開口部が形成され、前記層間絶縁膜上に形成された被覆膜と、前記開口部上に位置する領域に形成された配線層と、前記導電領域と前記配線層とを電気的に接続し、前記貫通孔の内部に形成された導電体膜とを備える半導体装置。