特許
J-GLOBAL ID：200903057729448939
半導体ウエーハ用真空チヤツク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-268856
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082631
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 ダストの影響を排除しつつ、半導体ウェーハの変形を防止し、もって半導体ウェーハを高精度でチャッキングする。【構成】 底部に吸引孔6を開設した複数の吸着溝4を吸着面2に同心状に設けると共に、隣り合う吸着溝4間の吸着面2に吸着溝4より広幅のダスト付着防止溝5を同心状に設け、かつ上記吸着溝4内をそれぞれの吸引孔6を介して所要の真空圧力とする真空ポンプ9を設けてなるものにおいて、各ダスト付着防止溝5内をそれぞれの底部に開設した通気孔10を介して所要圧力に調節する圧力調節器12を設けることにより、ダスト付着防止溝内の圧力を吸着溝からの吸引やダスト付着防止溝幅等の影響を排除し得る値とする。
請求項（抜粋）：
底部に吸引孔を開設した複数の吸着溝を吸着面に同心状に設けると共に、隣り合う吸着溝間の吸着面に吸着溝より広幅のダスト付着防止溝を同心状に設け、かつ上記各吸着溝内をそれぞれの吸引孔を介して所要の真空圧力とする真空ポンプを設けてなる半導体ウェーハ用真空チャックにおいて、前記各ダスト付着防止溝内をそれぞれの底部に開設した通気孔を介して所要圧力に調節する圧力調節手段を設けたことを特徴とする半導体ウェーハ用真空チャック。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, B25B 11/00
, H01L 21/304 321
