特許
J-GLOBAL ID：200903057730619984
II-VI族化合物半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114465
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302764
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 アクセプタ濃度またはドナー濃度が十分に高いp型またはn型のII-VI族化合物半導体の成長を行う。【構成】 MOCVD装置の反応管にII族元素であるZnの原料、VI族元素であるSeの原料およびアクセプタ不純物であるNのドーパントを全て同時に供給してZnSe:N層24の成長を行う工程と、Znの原料およびNのドーパントの供給を維持したままSeの原料の供給を中断して成長中断を行い、その成長中断中にZnおよびNの吸着層23を形成する工程とを交互に繰り返し行うことにより、p型ZnSe層の成長を行う。
請求項（抜粋）：
II族元素の原料、VI族元素の原料およびドーパントを用いた気相成長法によりII-VI族化合物半導体の成長を行うようにしたII-VI族化合物半導体の成長方法において、上記II族元素の原料および上記VI族元素の原料のうちの一方の供給中断により成長中断を行う工程を有することを特徴とするII-VI族化合物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 29/225
