特許
J-GLOBAL ID：200903057733516167
高耐圧半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085569
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288524
出願日： 1995年04月11日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】高耐圧ダイオードの耐圧の経時劣化を防止すること【構成】アノード電極10の端部下のn型カソード層1の表面に接触し、かつ熱酸化膜9、CVD酸化膜12によりアノード電極10と絶縁された高抵抗半導体膜8を設ける。
請求項（抜粋）：
高抵抗の第1導電型半導体層と、この第1導電型半導体層の表面に選択的に形成された第2導電型半導体層と、この第2導電型半導体層の表面に接触するとともに、その端部が前記第2導電型半導体層の端部を越えて前記第1導電型半導体層上にまで延在し、絶縁膜により前記第1導電型半導体層と絶縁された第1の主電極と、前記第1の主電極の端部下の前記第1導電型半導体層の表面に接触するとともに、前記絶縁膜により前記第1の主電極と絶縁された高抵抗半導体膜と、前記第1導電型半導体層に設けられた第2の主電極とを具備してなることを特徴とする高耐圧半導体素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/91 D
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/91 L
