特許

J-GLOBAL ID：200903057734281759

半導体装置の層間絶縁膜の形成方法

発明者： 細田 幸男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205845
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047758
出願日： 1991年08月16日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法、より詳しくは、多層配線の層間絶縁膜の形成方法に関し、下地の材料に関係なく(影響されることのない)かつステップカバーレッジを改善した層間絶縁膜を、有機シリコン化合物(TEOSを含む)と、オゾン(O3 )を含有した酸素とを原料として形成する方法を提案する。【構成】 半導体装置の多層配線構造での層間絶縁膜を、(ア)有機シリコン化合物と、オゾン含有酸素ガスと、リンドーパントを原料としてCVD法によりPSG膜4を形成する工程、および(イ)該PSG膜4の上に有機シリコン化合物と、オゾン含有酸素ガスとを原料としてCVD法によりノンドープシリケイト(NDG)膜4を形成する工程とでもって2層構造膜に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の多層配線構造での層間絶縁膜を、(ア)有機シリコン化合物と、オゾン含有酸素ガスと、リンドーパントを原料としてCVD法によりPSG膜(4)を形成する工程、および(イ)該PSG膜(4)の上に有機シリコン化合物と、オゾン含有酸素ガスとを原料としてCVD法によりノンドープシリケイト膜(5)を形成する工程とでもって2層構造膜に形成することを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 B