光半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-018671
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220166
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】電流の干渉を生ずることなく、同一基板上にGaN系半導体素子とSiC系半導体素子とを集積化することができる光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】炭化珪素(SiC)による半導体素子をGaN系材料と同じサファイア、スピネル、ScAlMgO4 等の絶縁性酸化物基板上に形成することにより、GaN系半導体レ-ザと受光素子、および電子デバイスをモノリシックに集積化することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性の酸化物の単結晶からなる基板と、前記基板上に形成された、炭化珪素からなる半導体素子と、を備えたことを特徴とする光半導体装置。

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