特許
J-GLOBAL ID：200903057741331125
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008719
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198814
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】本発明は、コンタクト層とチャネル半導体層との界面への炭素等の付着や自然酸化膜の形成に起因する素子特性の不良やばらつきを低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】透明絶縁性基板10上にITO等の透明電極層からなるソース電極14a及びドレイン電極14bが形成され、これらの上にn+ 型a-Si層からなるコンタクト層16及び厚さ10nm程度のアンドープのa-Si層からなる保護層18が順に積層されている。そしてチャネル半導体層20が、ソース電極14aとドレイン電極14bとに挟まれた透明絶縁性基板10上に形成されると共に、コンタクト層16及び保護層18を介して、ソース電極14a及びドレイン電極14bにオーミック接続されている。チャネル半導体層20上にゲート絶縁層22を介してゲート電極24が形成されている。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板と、前記透明絶縁性基板上に所定の間隔をおいて形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに挟まれた前記透明絶縁性基板上に形成されると共に、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上に不純物が添加されたコンタクト層を介してオーミック接続されているチャネル半導体層と、前記チャネル半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する半導体装置において、前記コンタクト層と前記チャネル半導体層との間に、真性半導体層からなる層が介在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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