特許

J-GLOBAL ID：200903057741988310

エンハンスされた外部量子効率を有する半導体発光素子の製造方法

発明者： 馬 少崑 ,  ▲頼▼ 韓棕
出願人/特許権者： 國聯光電科技股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004983
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196630
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子の上面を粗面化することによって外部量子効率が増加された半導体発光素子を製造する方法を提供することである。【解決手段】 半導体基板上に半導体発光領域を含む多重層構造を形成する段階と、前記多重層構造を被覆する最上層を形成する段階と、前記最上層を被覆する、電極材料を含む層を形成する段階と、前記電極材料が前記最上層に拡散するように加熱処理を実施する段階と、前記の電極材料を含む層をエッチングして、前記最上層上に上部電極を形成し、かつ前記最上層の一部を露出する段階と、を備え、前記最上層の露出した部分は粗い面であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に半導体発光領域を含む多重層構造を形成する段階と、前記多重層構造を被覆する最上層を形成する段階と、前記最上層を被覆する、電極材料を含む層を形成する段階と、前記電極材料が前記最上層に拡散するように加熱処理を実施する段階と、前記の電極材料を含む層をエッチングして、前記最上層上に上部電極を形成し、かつ前記最上層の一部を露出する段階と、を備え、前記最上層の露出した部分は粗い面である、半導体発光素子の製造方法。

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 A

Fターム (6件)：

5F041AA03 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA38 ,  5F041CA85 ,  5F041CA99

引用特許：

審査官引用 (1件)

• TVシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-221415   出願人：ソニー株式会社