特許

J-GLOBAL ID：200903057745957843

酸化物半導体並びにこれを有する薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 姜 東 勳 ,  宋 利 憲 ,  朴 永 洙 ,  金 昌 ジョン ,  李 銀 河 ,  李 在 チョル
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-175404
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016844
出願日： 2008年07月04日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】GaxInyZnz酸化物及び新たな物質を含む酸化物半導体及び薄膜トランジスタのチャンネルとしてGaxInyZnz酸化物及び新たな物質を付加して、その特性を向上させた酸化物半導体を含む薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体であって、GaxInyZnz酸化物に、4A族物質、4A族物質の酸化物、及び希土類物質からなる群より選択される少なくとも1つの物質が含まれる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体であって、 GaxInyZnz酸化物に、4A族物質、4A族物質の酸化物、及び希土類物質からなる群より選択される少なくとも1つの物質が含まれることを特徴とする酸化物半導体。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (1件)：

H01L29/78 618B

Fターム (19件)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07