特許
J-GLOBAL ID：200903057747283254

薄膜形成用スパッタリングターゲット

発明者：
村田 英夫

村田 英夫 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-272745
公開番号（公開出願番号）：特開2005-029862
出願日： 2003年07月10日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】 Mo合金膜を大面積に再現性良く形成できるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 基板上にMo合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、その組成が、Tiを2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなり、相対密度が95%以上であり、かつ抗折力が300MPa以上である薄膜形成用スパッタリングターゲットである。また、上記の薄膜形成用スパッタリングターゲットの金属組織は、結晶粒径が300μm以下である。また、Mo、Tiの単独相および拡散相からなる金属組織、またはMo、Tiで構成される拡散相からなる金属組織を有する薄膜形成用スパッタリングターゲットである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にMo合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、その組成が、Tiを2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなり、相対密度が95%以上であり、抗折力が300MPa以上であることを特徴とする薄膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
C23C14/34 ,  C22C27/04
FI (2件)：
C23C14/34 A ,  C22C27/04 102
Fターム (9件)：
4K029AA04 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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