特許
J-GLOBAL ID：200903057748258024
半導体製造のための高処理能力統合誘電体材料処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131254
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326652
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造のための高処理能力統合誘電体材料処理システムを提供することである。【構成】 ロボット転送腕と、このロボット転送腕がアクセス可能な、入力ウェーハデッキ、出力ウェーハデッキ、被膜室、こすり洗い室、高速熱処理室及び真空ロードロック室と、この真空ロードロック室へアクセス可能な、プラズマエッチ/アッシュ室及びプラズマ堆積室と、中央制御サブシステムとを備えている。高速熱処理室は、電球モジュール、窓、環境制御室、該室内のウェーハへのアクセスゲート、該室内のウェーハ保持具及び該室を真空にする真空ポンプとからなる。電球モジュールは、紫外電球及び/または赤外電球からなる。ウェーハ保持具は、サブストレートと熱電対及びセラミック硝子ウェーハ架からなる。
請求項（抜粋）：
半導体装置を製造するための高処理能力統合装置において、a.ロボット転送腕と、b.上記ロボット転送腕がアクセス可能な入力ウェーハデッキと、c.上記ロボット転送腕がアクセス可能な出力ウェーハデッキと、d.上記ロボット転送腕がアクセス可能な被膜室と、e.上記ロボット転送腕がアクセス可能なこすり洗い室と、f.上記ロボット転送腕がアクセス可能な真空ロードロック室と、g.上記真空ロードロック室へアクセス可能なプラズマエッチ及びアッシュ室と、h.上記真空ロードロック室へアクセス可能なプラズマ堆積室と、i.中央制御サブシステムと、j.上記ロボット転送腕がアクセス可能な高速熱処理室とを備え、上記高速熱処理室が、i. 電球モジュールと、ii. 上記電球モジュールに接続されている窓と、iii.上記窓に接続されている環境制御室と、iv. 上記環境制御室内のウェーハへのアクセスゲートと、v. 上記環境制御室の内部のウェーハ保持具と、vi. 真空ポンプラインによって上記環境制御室に接続されている真空ポンプを含むことを特徴とする高処理能力統合装置。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, H01L 21/02
, H01L 21/26
, H01L 21/31
