特許
J-GLOBAL ID：200903057748331120
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295343
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153833
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 ポリイミド膜をバッファーコートとしてい用いた場合に封止材(樹脂)との剥離が生じ、半導体装置の信頼性が劣化するという問題を解決すること。【構成】 ポリイミド膜(14)の表面をCF4等のエッチングガスによりプラズマ処理した後に樹脂封止を行うようにした。これにより、ポリイミド膜(14)の表面に凹凸が生じる等により、封止材との密着力が高まり、信頼性を向上できる。
請求項（抜粋）：
集積回路が形成された半導体基板をパッシベーション膜で被覆し、さらに該パッシベーション膜をポリイミド膜で被覆する工程と、半導体基板をスクライブして複数のチップに分割し該チップを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法において、ポリイミド膜の表面をプラズマ処理した後に樹脂封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/3065
, H01L 21/56
H01L 23/30 D
, H01L 21/302 F
