特許
J-GLOBAL ID：200903057753304859
半導体単結晶エッチピット密度測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262017
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118100
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：
【要約】【目的】 画像処理により半導体単結晶エッチピット密度測定する場合に、測定箇所毎に最適なしきい値とエッチピット数を自動的に求めることのできる画像処理方法を提供する。【構成】 半導体単結晶エッチング面の拡大像に関し、エッチピットを除くすべての部分を認識しない範囲域でしきい値を複数変化させながら二値化画像を得、その独立図形を数え最大のものをエッチピット数とする。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶エッチング面の拡大像を、画像処理によりエッチピット密度測定をするに際し、上記拡大像中のエッチピットを除くすべての部分を認識しない範囲域でしきい値を複数変化させながら二値化画像を得、該二値化画像の独立図形を数え、該図形数の最大値のものをエッチピット数とする画像処理を行うことを特徴とする半導体単結晶エッチピット密度測定方法。
IPC (2件)：
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