特許

J-GLOBAL ID：200903057754477439

強誘電性1T/1C型メモリ用電圧基準

発明者： デニス・アール・ウィルソン ,  エイチ・ブレット・メドウズ
出願人/特許権者： ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237256
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115596
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【課題】 1T/1C型メモリのための基準セルを提供すること。【構成】 各基準セルは、それぞれがビット線に結合された2つの出力を有し、それぞれの出力は、強誘電性メモリ・セル(12)によって生じるものの実質的に半分の電圧を生じる。それぞれの基準セルは、2つの強誘電性キャパシタを含み、これらは、同じサイズであり、メモリ・セルの強誘電性キャパシタと同じほうほうによって製造される。メモリ・セルのキャパシタにおける変化は、基準セルのキャパシタに同じ影響を与え、よって、基準電圧は常にメモリ・セルによって生じるものの半分となる。

請求項（抜粋）：

1T/1C型メモリ・セルのアレーを含む強誘電性メモリにおいて用いる基準セルにおいて、前記アレーにおけるビット線にそれぞれが結合された第1及び第2の電圧基準出力と、第1及び第2の強誘電性キャパシタと、前記第1及び第2の強誘電性キャパシタを前記第1及び第2の電圧基準出力に結合する手段と、前記強誘電性キャパシタの中の1つの上に電荷を確立する手段と、前記電荷を前記強誘電性キャパシタの両方の両端に均等に配分し、前記電圧基準出力の両方に実質的に等しい基準電圧を生じさせる手段と、を備えていることを特徴とする基準セル。

IPC (2件)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-110893
  
• 不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-235074   出願人：シヤープ株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-015302   出願人：松下電子工業株式会社