特許

J-GLOBAL ID：200903057761485455

レーザ蒸着法によるSi薄膜の形成方法及びその薄膜を構成要素として含む光電変換素子

発明者： 小出 直城 ,  小松 雄爾
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236969
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059162
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 光電変換効果を有する高品質な微粒子Si薄膜をレーザ蒸着法を用いて形成する。及び、非晶質Si薄膜を用いた光電変換素子よりも出力電圧が高く、光劣化の少ないSi薄膜系の光電変換素子を提供する。【解決手段】 Siターゲットにパルスレーザ光を照射して、基板上にSi薄膜を堆積させるSi薄膜の形成方法において、不活性ガスを導入して基板上に微粒子Si薄膜層を形成する工程1と、不活性ガスの導入を停止して基板上にSi薄膜層を形成する工程2を有し、工程1と工程2を少なくとも一回ずつ以上繰り返すことで基板上に製膜を行う。一回の工程1で形成される微粒子Si薄膜層の膜厚t1を5〜100nmに設定し、一回の工程2で形成されるSi薄膜層の膜厚t2がt1の1〜2倍であるような条件で成膜を行う。

請求項（抜粋）：

Siターゲットを用いたレーザ蒸着法による基板上へのSi薄膜の形成方法であって、Si薄膜を、不活性ガスを導入しつつ微粒子状Siからなる薄膜層を形成する工程1と、不活性ガスを導入しないで非晶質Siからなる薄膜層を形成する工程2とを少なくとも一回ずつ行うことにより形成することを特徴とするSi薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/28 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C23C 14/28 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 31/04 X

Fターム (20件)：

4K029BA35 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB02 ,  4K029DB20 ,  4K029EA01 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA12 ,  5F051CA34 ,  5F103AA01 ,  5F103BB23 ,  5F103DD16 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103LL04 ,  5F103NN06