特許
J-GLOBAL ID：200903057767374671
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-276137
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102556
出願日： 1995年10月02日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 新たな製造工程を追加することなく、アバランシエブレークダウンによる接合破壊の発生を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 静電気保護素子領域40において、P型ウエル層42の表面近傍には、N型不純物からなる静電気保護抵抗層43が形成されている。静電気保護抵抗層43はNMOSFET領域30のソース層34およびドレイン層35と同時に形成される。静電気保護抵抗層43の底部の一部にはN型不純物による電流流出層43aが設けられている。電流流出層43aはP+ 型埋め込み層41に接する位置まで深く形成されており、P+ 型埋め込み層41との間で高濃度PN接合44を形成している。過大な電圧が印加され静電気保護抵抗層43にアバランシエブレークダウンが発生したときには、その電流が高濃度PN接合44を通じて縦方向(下方向)に流れる。
請求項（抜粋）：
内部に表面領域よりも不純物濃度の高い第1導電型の高濃度不純物層が形成されてなる第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の表面近傍に形成されると共に、その一部が前記半導体基板の内部に形成された高濃度不純物層と接して高濃度のPN接合を形成する第2導電型の高濃度不純物層からなる静電気保護層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8249
, H01L 27/06
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
H01L 27/06 321 H
, H01L 27/04 H
, H01L 27/08 102 F
