特許

J-GLOBAL ID：200903057771169535

光半導体装置

発明者： 野口 英明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237539
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075159
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、残留抵抗効果及びエミッタ周辺の電流集中効果によるトランジスタ特性の悪化を防止し、かつチップサイズの小さな光半導体装置を提供することである。【構成】本発明の光半導体装置は、エミッタ領域部に接続するように形成された電極の少なくとも一部に、光の入射窓を有していることを特徴としている。このような構造にすることにより、トランジスタ領域のpn接合部で光電流を発生させ、フォトトランジスタとして動作させることができる。【効果】このような光半導体装置は、残留抵抗効果及び電流集中効果によるトランジスタの特性悪化を防止し、かつチップサイズの小さな光半導体装置を提供することができる。

請求項（抜粋）：

NPNまたはPNP型のバイポーラトランジスタを有する半導体装置において、該パイポーラトランジスタのエミッタ領域部に接続して形成された電極の少なくとも一部に光入射窓を有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-094476
  
• 特開昭49-042294