薄膜構造素子の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樺山亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220521
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029298
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】大きいテーパー比を有し、効率の良い導波光結合等を得られるテーパー構造を備えた薄膜構造素子の形成方法を提供する。【構成】基板13上にフッ酸系溶液によりエッチングされる誘電体層14を形成し、この誘電体層上にSiH4とNH3とN2O と不活性キャリアガスとを有する原料ガスを用いてプラズマCVD法により誘電体層14よりも大きなエッチレートを有するシリコンオキシナイトライド層(SiON層)15を形成し、このSiON層上にマスク16を形成し、このマスクを用いてフッ酸系溶液によってSiON層15と誘電体層14とを選択的にエッチングすることによりテーパー構造を有する薄膜構造素子を作製する。【効果】SiON層のエッチレートが下地の誘電体層に対して色々な値を選択できるため、テーパー比が1:1から1:30程度までの幅広いテーパー構造を有する薄膜構造素子を形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板上にフッ酸系溶液によりエッチングされる誘電体層を形成し、この誘電体層上にSiH4とNH3 とN2Oと不活性キャリアガスとを有する原料ガスを用いてプラズマCVD法により前記誘電体層よりも大きなエッチレートを有するシリコンオキシナイトライド層を形成し、このシリコンオキシナイトライド層上にマスクを形成し、このマスクを用いて前記フッ酸系溶液によって前記シリコンオキシナイトライド層と前記誘電体層とを選択的にエッチングすることにより、テーパー構造を有する薄膜構造素子を作製することを特徴とする薄膜構造素子の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , G02B 6/12 , H01L 27/15

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-010644
特開平2-130924
特開平1-289902

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