特許

J-GLOBAL ID：200903057772791159

磁気抵抗素子とその製造方法

発明者： 大石 邦彦 ,  是近 哲広 ,  服部 孝道 ,  川崎 哲生
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248060
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087799
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 結晶性シリコン上に形成されたインジウムとアンチモンを含む半導体膜を感磁部とする半導体薄膜磁気抵抗素子において、約100°Cを越える高温状態になるとSiの比抵抗が急激に低下し、Si基板側にも電流が流れるようになり磁気感度が低下していた。本発明は、この半導体磁気抵抗素子の高温時における磁気感度を向上させることを目的とする。【解決手段】 絶縁性基板1上に200μm以下の厚みの結晶性Si層2を設け、この上に半導体膜3、短絡電極4、保護膜5で構成された磁気抵抗素子を形成することにより、Si層のシート抵抗が高くなり高温状態でのSi層への電流の漏れを低減することができるため、半導体磁気抵抗素子の高温動作時の感度の向上が図れる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた結晶性シリコン層と、前記結晶性シリコン層上に設けられた少なくともインジウムとアンチモンとを含む半導体薄膜とを有し、前記結晶性シリコン層を200μm以下の厚みで構成したことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 43/08 S ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/12 B