特許

J-GLOBAL ID：200903057773583339

相変化物質層の形成方法、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法、及び相変化記憶素子

発明者： 趙 性來 ,  李 忠滿 ,  李 ▲進▼一 ,  林 尚郁 ,  朴 恵英 ,  朴 瑛琳
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-111478
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294964
出願日： 2007年04月20日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。【解決手段】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。本発明によれば、相変化物質層を選択的に形成することによって、ボイド及びシームなしにホールを満たす相変化パターンを実現することができる。これによって、相変化記憶素子の特性低下を防止し、高集積化及び低消費電力化の少なくともいずれか一方に最適化された相変化記憶素子を実現することができる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

絶縁体及び導電体を有する基板を準備する段階と、 前記基板を工程ハウジング内にローディングする段階と、 前記工程ハウジング内に蒸着ガスを注入して前記導電体の露出した面上に選択的に相変化物質層を形成する段階と、 前記工程ハウジングから前記基板をアンローディングする段階と、 を含み、 前記蒸着ガスが前記工程ハウジング内で存在するライフタイムは、前記蒸着ガスが熱エネルギーによって反応するのに必要である時間より短いことを特徴とする相変化物質層の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/04

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  C23C16/44 A ,  C23C16/04

Fターム (25件)：

4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA04 ,  4K030BA09 ,  4K030BA15 ,  4K030BA16 ,  4K030BA25 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR38