特許

J-GLOBAL ID：200903057778328795

非単結晶炭化シリコン

発明者： 阿閉 忠司 ,  徳永 博之
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144719
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018079
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 光学バンドギャップが大きく、良好な光電特性を示す半導体薄膜材料を得る。【構成】 少なくともSi原子とC原子とH原子を含み、光学的禁制帯幅が2.5eV以上の非単結晶炭化シリコンであって、この非単結晶炭化シリコンをSi1-x Cx と表した場合のSi原子とC原子の組成比xが0.4以上の非単結晶炭化シリコンにおいて、結合配位数が2である元素を、5×1019cm-3以上、1×1022cm-3以下含む。

請求項（抜粋）：

少なくともSi原子とC原子とH原子を含み、光学的禁制帯幅が2.5eV以上の非単結晶炭化シリコンであって、この非単結晶炭化シリコンをSi1-x Cx と表した場合のSi原子とC原子の組成比xが0.4以上の非単結晶炭化シリコンにおいて、結合配位数が2である元素を、5×1019cm-3以上、1×1022cm-3以下含むことを特徴とする非単結晶炭化シリコン。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/314

FI (2件)：

H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 B