特許

J-GLOBAL ID：200903057784052700

半導体圧力センサおよびその製造方法

発明者： 佐藤 昌啓 ,  中尾 知 ,  黒坂 昭人
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 藤本 英介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221715
公開番号（公開出願番号）：特開2001-050841
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 圧力センサにおいて、基準圧力室に対するリークパスがなくなりセンサの長期安定性が著しく向上する半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン体1の一部に形成したダイヤフラム部3と前記シリコン体1と接合されたガラス基板2上に形成された電極膜4との間の静電容量の変化を検出することによって圧力を測定するセンサにおいて、引き出し回路4a上に形成される絶縁層5に生じた接合面の凸部5aを選択的に除去して平坦化してシール性を高めた。

請求項（抜粋）：

シリコン体の一部に形成したダイヤフラム部と前記シリコン体と接合されたガラス基板上に形成された電極膜との間の静電容量の変化を検出することによって圧力を測定するセンサにおいて、電極膜に繋がる引き出し回路上に形成される絶縁層に生じた接合面の凸部を選択的に除去して平坦化してシール性を高めたことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84 Z

Fターム (22件)：

2F055AA40 ,  2F055BB01 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055DD07 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112CA15 ,  4M112CA16 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA13 ,  4M112FA06 ,  4M112FA11