特許

J-GLOBAL ID：200903057784246288

導波路型光デバイス

発明者： 中村 真一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-000370
公開番号（公開出願番号）：特開平5-002195
出願日： 1991年01月08日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【構成】第1の光導波路2は、電気光学効果を有する基板1の表面に形成される。第1の制御電極5は、光導波路2の方向性結合器7の近傍に設けられ、光導波路2が導く信号光の曲折率を制御する。第2の制御電極6は、接続される光導波路2より狭くして信号光が出力されるように基板1の表面に形成される。第2の制御電極6は、第2の光導波路3が導く光の曲折率を制御する。【効果】信号光が出力ポートから出射されていないときに信号光が伝搬する光導波路をカットオフ状態にすることにより、信号光が出力するポートの高消光比が得られる。

請求項（抜粋）：

電気光学効果を有する基板の表面に形成された複数本の第1の光導波路と、この第1の光導波路の近傍に設けられた前記第1の光導波路が導く信号光の曲折率を制御する第1の制御電極と、接続される前記第1の光導波路より狭くして前記信号光が出力されるように前記基板の表面に形成された第2の光導波路と、この第2の光導波路が導く前記信号光の曲折率を制御する第2の制御電極とを有することを特徴とする導波路型光デバイス。