特許

J-GLOBAL ID：200903057784374294

窒化物半導体基板及びその製造方法

発明者： 蝶々 一幸 ,  前川 仁志 ,  木内 章喜
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212926
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033282
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 結晶欠陥の少ない窒化物半導体基板を提供すること。【解決手段】 第1窒化物半導体層16は、第1保護膜14を用いてELOG成長によって形成されている。このため、欠陥密度は、第1保護膜14の開口部上において高く、第1保護膜14上において低くなる。第1保護膜の中央部15は、左右から横方向に成長してきた第1窒化物半導体26が互いに接合するため、欠陥密度が高くなる。2回目のELOG成長を行うための第2保護膜18を、第1保護膜14のストライプ中央部15と第1保護膜14の開口部とを覆うように形成する。これにより、第1窒化物半導体層26内を貫通して進行する転位を第2保護膜18によって遮断して、第2窒化物半導体層20の転位密度を、第1窒化物半導体層26よりも一層低くすることができる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる異種基板の上に、周期的なストライプ状に形成された第1の保護膜と、前記第1の保護膜を覆って、基板全面に形成された第1窒化物半導体層と、前記第1窒化物半導体層上に、前記第1の保護膜のストライプ中央部分と前記第1の保護膜のない部分とを隠すように形成された第2の保護膜と、前記第2の保護膜を覆って、基板全面に形成された第2窒化物半導体層とを有する窒化物半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C

Fターム (33件)：

4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF14 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA12