薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-034496
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194208
出願日： 2008年02月15日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【課題】ポリマー絶縁膜を用い、溶液プロセスが可能で簡易に塗布によって形成でき、且つ、フレキシブルな樹脂基板にも適性があり、ロールツウロールなどのプロセス適性を有する、フレキシブルな有機ポリマー材料を用いたゲート絶縁層を有する高移動度で、on/off特性に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】支持体6上にゲート電極5、ゲート絶縁層2、ソース電極3及びドレイン電極4、半導体層1を有する薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層2がポリマー絶縁層2aとその上の無機膜2bからなり、前記無機膜2bに表面処理剤を用いて表面処理を施し、表面処理を施した無機膜2b上に半導体材料の溶液または分散液を用いて半導体層1を形成することを特徴とする薄膜トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持体上にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層がポリマー絶縁層とその上の無機膜からなり、前記無機膜に表面処理剤を用いて表面処理を施し、表面処理を施した無機膜上に半導体材料の溶液または分散液を用いて半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (5件)：

H01L29/78 617U , H01L29/78 618B , H01L29/78 617V , H01L29/28 100A , H01L29/28 250H

Fターム (35件)：

5F110AA05 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (2件)

国際公開第2007/099689号パンフレット
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-149630 出願人：三星エスディアイ株式会社

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