特許

J-GLOBAL ID：200903057789803576

AlGaInP系発光装置

発明者： 安富 敬三 ,  能登 宣彦 ,  竹中 卓夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154169
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342936
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 長時間通電発光使用しても発光特性等に劣化を生じない長寿命且つ信頼性の高いAlGaInP系発光装置を提供する。【構成】 第1導電型GaAs基板上にAlGaInPダブルヘテロ接合構造層又はAlGaInPシングルヘテロ接合構造層からなる発光層部を形成し、該発光層部上に、該発光層部の活性層より放射される光子のエネルギーより大きいエネルギーギャップを有し、且つ前記発光層部を構成する(Al<SB>B</SB>Ga<SB>1-B</SB>)<SB>0.51</SB>In<SB>0.49</SB>P混晶と格子整合する第2導電型Al<SB>w</SB>Ga<SB>1-w</SB>As<SB>1-v</SB>P<SB>v</SB>混晶(例えば、Al<SB>0.7</SB>Ga<SB>0.3</SB>As<SB>0.97</SB>P<SB>0.03</SB>)を電流拡散層として形成する。但し、w及びvはそれぞれ0.45≦w<1、0<v≦0.08である。

請求項（抜粋）：

第1導電型GaAs基板上に、AlGaInPダブルヘテロ接合構造層又はAlGaInPシングルヘテロ接合構造層からなる発光層部が形成されたAlGaInP系発光装置において、前記発光層部上に、該発光層部の活性層から放射される光子のエネルギーよりも大きいエネルギーギャップを有する第2導電型AlwGa1-wAs1-vPv混晶電流拡散層を備えたことを特徴とするAlGaInP系発光装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-280694
  
• 特開平4-212479
  
• 特開平3-227077
  
• 特開平2-098984