特許
J-GLOBAL ID：200903057791538677
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205654
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040380
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置の検査工程での利便性を高める。【解決手段】ページモード書込型の不揮発性半導体装置において、各ビット線の書込データを一時的に書込データをラッチしておくデータラッチ回路を用いて、シフトレジスタを構成し、データラッチ回路へのデータの取り込みを、単純な信号の入力で行えるようにする。
請求項（抜粋）：
カラムアドレスにより各ビット線を選択する手段と、各ビット線毎に、メモリセルに書き込むためのデータを一時的に保持するデータラッチ回路と、各ビット線のデータラッチ回路にデータを取り込む手段と、データラッチ回路内のデータをビット線に出力するための手段を持ち、同一ワード線上のメモリセルに一括にデータを書込むページモード書込型の不揮発性半導体記憶装置において、データラッチ回路を1つ又は複数のグループに分割し、各ビット線のデータラッチ回路を用いて、各グループ毎にシフトレジスタを構成したデータラッチ回路を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 611 G
, G11C 17/00 601 T
