ステンシルマスクに対する荷電粒子ビーム偏向制御方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：松本眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044798
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260401
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】露光位置精度を向上させる。【構成】キャリブレーションの際には、ステンシルマスク12上の透過孔の1つの中心を光軸C上に一致させ、マスク入射側偏向器ID及びマスク出射側偏向器ODでの荷電粒子ビーム偏向量を0にして、荷電粒子ビームEBに対し該ステンシルマスク12上の光軸上透過孔を通過させたときの試料14上照射点を原点S0とし、ステンシルマスク12上の複数の透過孔の各々につき、偏向器駆動量Vを変化させて、試料14上照射点位置Sの原点S0からの位置ずれxが極小となり、かつ、アパーチャ13を通過する荷電粒子ビームEBの検出電流IEBが極大となるような偏向器駆動量Vを求め、実際の露光の際には、求めた偏向器駆動量V及び選択したステンシルマスク12上透過孔位置に基づいて偏向器駆動量を決定する。

請求項（抜粋）：

光軸(C)上を通る荷電粒子ビーム(EB)をマスク入射側偏向器(ID)で振って、ステンシルマスク(12)上の選択した通過孔パターンに対し該荷電粒子ビームを通して該荷電粒子ビームの断面形状を成形した後、該荷電粒子ビームをマスク出射側偏向器(OD)で振り戻して、該荷電粒子ビームを該光軸上に通らせ、該荷電粒子ビームに対し、孔が該光軸上に在る角度絞り用アパーチャ(13)を通過させる、ステンシルマスクに対する荷電粒子ビーム偏向制御方法であって、キャリブレーションの際には、該ステンシルマスク上の該通過孔パターンの1つを該光軸上に一致させ、該アパーチャを通過する該荷電粒子ビームの電流(IEB)を検出し、該荷電粒子ビームの試料(14)上照射点位置(S)を検出し、該マスク入射側偏向器及び該マスク出射側偏向器での該荷電粒子ビーム偏向量を0にして、該荷電粒子ビームに対し該該ステンシルマスク上の該光軸上通過孔パターンを通過させたときの該試料上照射点を原点(S0)とし、該ステンシルマスク上の複数の該通過孔パターンの各々につき、該マスク入射側偏向器及び該マスク出射側偏向器の駆動量(V)を変化させて、該通過孔パターンに該荷電粒子ビームを通過させたときに検出した該試料上照射点の該原点からの位置ずれ(x)が極小となり、かつ、検出した該電流が極大となるような該偏向器駆動量を求め、実際の露光の際には、求めた該偏向器駆動量及び選択したステンシルマスク上通過孔パターン位置に基づいて、該偏向器駆動量を決定することを特徴とするステンシルマスクに対する荷電粒子ビーム偏向制御方法。

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