特許
J-GLOBAL ID：200903057794302429
強誘電体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
紋田 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-009852
公開番号（公開出願番号）：特開2002-216498
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体記憶装置の強誘電体コンデンサの残留電荷によるビット線電圧を、定量的に測定することにより、強誘電体コンデンサの特性ずれや、劣化度合いを評価可能にして、強誘電体記憶装置の信頼性を向上する。【解決手段】 2Tr・2Cや1Tr・1Cの強誘電体記憶装置のスクリーニングに際して、参照電圧入力用外部端子Tvrefから調整された参照電圧Vrefを電圧検知手段(センスアンプ)SAの一方の入力に印加する。これにより、参照電圧Vrefを変更してテストし、入力に印加されるビット線電圧、言い換えれば強誘電体キャパシタC0(またはC1)の特性を、定量的に測定する。
請求項（抜粋）：
直列接続された第1の強誘電体キャパシタおよびワード線により選択される第1の選択トランジスタと、直列接続された前記第1の強誘電体キャパシタと逆の分極状態にされる第2の強誘電体キャパシタおよびワード線により選択される第2の選択トランジスタと、前記第1の強誘電体キャパシタと第1の選択トランジスタの直列接続された一端が接続され、ビット線キャパシタを有する第1ビット線と、前記第2の強誘電体キャパシタと第2の選択トランジスタの直列接続された一端が接続され、ビット線キャパシタを有する第2ビット線と、前記第1の強誘電体キャパシタと第1の選択トランジスタの直列接続された他端および前記第2の強誘電体キャパシタと第2の選択トランジスタの直列接続された他端に接続され、所定の電圧を与えるプレート線と、前記第1ビット線と前記第2ビット線との間に接続された電圧検知手段とを備えた強誘電体記憶装置において、参照電圧入力用外部端子と、この参照電圧入力用外部端子と前記第1ビット線との間に設けたテスト用第1制御スイッチと、前記参照電圧入力用外部端子と前記第2ビット線との間に設けたテスト用第2制御スイッチとを有し、前記テスト用第1スイッチ手段と前記テスト用第2スイッチ手段は、テスト信号によりいずれか一方のみが選択的に閉成されることを特徴とする強誘電体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 29/00 671
, G11C 11/22 501
, G11C 11/22
G11C 29/00 671 M
, G11C 11/22 501 P
, G11C 11/22 501 H
5L106AA01
, 5L106DD03
, 5L106DD12
, 5L106DD36
, 5L106GG07
