特許

J-GLOBAL ID：200903057794769106

銅配線層を有する半導体素子及びその製造方法

発明者： 崔 時 榮 ,  柳 奉 寧 ,  朴 基 ▲てつ▼ ,  李 鉉 ▲徳▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207239
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044205
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 銅配線層を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下地層上に形成され、その内部にコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記コンタクトホールの内壁に形成された拡散防止膜と、 前記拡散防止膜を被覆するタングステンシード層と、前記タングステンシード層上に形成され、前記コンタクトホールを充填する銅配線層とを含んでなることを特徴とする半導体素子である。

請求項（抜粋）：

下地層上に形成され、その内部にコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記コンタクトホールの内壁に形成された拡散防止膜と、前記拡散防止膜を被覆するタングステンシード層と、前記タングステンシード層上に形成され、前記コンタクトホールを充填する銅配線層とを含んでなることを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C