薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278686
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102593
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、プラズマCVD法もしくは常圧CVD法によって形成される、界面準位が多く粗な多結晶シリコンとゲート絶縁膜との界面の改質を行い、薄膜トランジスタの特性及び信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】窒化水素化合物もしくは酸化窒素化合物あるいはそれらの混合物を含む雰囲気中でランプアニールすることにより、多結晶シリコン膜を選択的に加熱することで多結晶シリコン膜を酸窒化し、界面準位が少なく緻密な多結晶シリコンとゲート絶縁膜との界面が形成され、トランジスタ特性及び信頼性の向上した多結晶シリコン薄膜トランジスタが得られる。

請求項（抜粋）：

透明基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法であって、多結晶シリコン膜形成後、窒化水素化合物もしくは酸化窒素化合物あるいはそれらの混合物を含む雰囲気中で、透明基板では吸収が少なく多結晶シリコンで主に吸収される波長領域に適合する光源によりランプアニールすることを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1365

FI (3件)：

H01L 29/78 627 F , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 G

Fターム (46件)：

2H092GA29 , 2H092HA28 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA46 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA09 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA25 , 5F110AA12 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF21 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110QQ11

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