特許
J-GLOBAL ID：200903057800628471
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-290307
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124245
出願日： 1998年10月13日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 短い工程時間で安価にバンプ電極を形成することのできる技術を提供する。【解決手段】 半導体ウエハSWの上面にフィルム状の感光性レジスト6を形成した後、半導体ウエハSWの電極パッド2上の感光性レジスト6に開口部7を設け、次いで半導体ウエハSWの上面にはんだペースト材8を滴下する。次に、スキージ9を2、3回摺動して感光性レジスト6の開口部7にはんだペースト材8を充填した後、半導体ウエハSWに熱処理を施すことによって、はんだペースト材8を溶融させ、はんだペースト材8を球冠化させてバンプ電極を形成する。
請求項（抜粋）：
基材の一表面に設けられた電極パッド上にバンプ電極を形成する半導体装置の製造方法であって、(a).前記基材の上面に感光性レジストを形成した後、前記基材の一表面に設けられた前記電極パッド上の前記感光性レジストに開口部を設ける工程と、(b).前記感光性レジストの開口部にはんだペースト材を充填する工程と、(c).前記基材に熱処理を施して、前記はんだペースト材を溶融させる工程と、(d).前記感光性レジストを除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 S
, H01L 21/92 604 R
