特許

J-GLOBAL ID：200903057802389008

半導体装置

発明者： 坂本 則明 ,  小林 義幸 ,  阪本 純次 ,  真下 茂明 ,  大川 克実 ,  前原 栄寿 ,  高橋 幸嗣
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 岡田 敬 ,  須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-342079
公開番号（公開出願番号）：特開2004-007022
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】 薄型、軽量のパッケージが採用されている。しかし薄型故に発生するパッケージの反り、実装基板との熱膨張係数の違いにより発生する問題、例えば、半導体装置の中に設けられた導電路の断線、金属細線との接続不良が発生し、半導体装置の信頼性に問題があった。【解決手段】 絶縁性樹脂44には、X軸-Y軸方向がZ軸方向よりも大きい結晶から成る導電路40を埋め込み、導電路40の裏面は、絶縁性樹脂44から露出されて封止される半導体装置を提供する。これにより、絶縁性樹脂44に埋め込まれた導電路40の断線を抑制する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

金属より成る導電パターンと、 前記導電パターンに電気的に接続される半導体素子と、 前記導電パターンおよび前記半導体素子を被覆する封止樹脂とを具備し、 前記封止樹脂に接触する領域の前記導電パターンの表面には酸化物が形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L23/50 ,  H01L21/56

FI (3件)：

H01L23/50 G ,  H01L23/50 R ,  H01L21/56 H

Fターム (22件)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DD12 ,  5F061DD13 ,  5F061EA03 ,  5F061FA02 ,  5F067AA01 ,  5F067AA04 ,  5F067AB04 ,  5F067BA03 ,  5F067BB01 ,  5F067BC12 ,  5F067CB08 ,  5F067CD10 ,  5F067DA17 ,  5F067DA18 ,  5F067DC15 ,  5F067DE08 ,  5F067DE14 ,  5F067EA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平3-94431号公報